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外媒称台积电2nm工艺制程取得重大突破,将在明年风险试产

来源:techweb.com.cn 作者:海蓝 时间:2022-06-13 14:34:44

6月13日消息,据国外媒体报道,在推进3nm制程工艺今年下半年量产的台积电,在更先进的2nm制程工艺的研发方面已取得重大进展预计在明年年中就将开始风险试产

风险试产,也就意味着台积电2nm制程工艺距量产又更近了一步。外媒在报道中也提到,在风险试产一年之后,台积电的这一制程工艺预计就将大规模量产

外媒称台积电2nm工艺制程取得重大突破,将在明年风险试产

从外媒的报道来看,台积电正在研发之中的2nm制程工艺,在风险试产时,良品率就会相当可观。外媒间流传的一份未注明来源的声明显示,台积电方面预计2nm制程工艺的良品率,在风险试产的2023年就将达到惊人的90%

外媒在报道中提到,如果2nm工艺的良品率在风险试产期间就达到了90%,台积电就能很好的改进这一工艺,并推动在2024年大规模量产。

台积电正在推进的2nm制程工艺,在晶体管的架构方面将会有变化,不会继续采用鳍式场效应晶体管(FinFET),而会采用全新的多桥通道场效电晶体(MBCFET)架构,也就是三星电子从3nm制程工艺就开始采用的晶体管架构,他们在去年4月份就已宣布,3nm制程工艺将采用多桥通道场效电晶体架构设计。

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