SK 海力士开发出超高性能 DRAM 新产品 HBM3E

8 月 21 日消息，SK 海力士今日发布新闻稿，宣布成功开发出面向 AI 的超高性能 DRAM 新产品 HBM3E，并开始向客户提供样品进行性能验证。

▲ 图源 SK 海力士官网，下同

注：HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直连接多个 DRAM，可显著提升数据处理速度，HBM DRAM 产品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的顺序开发。HBM3E 是 HBM3 的扩展(Extended)版本。

SK 海力士表示：“公司以唯一量产 HBM3 的经验为基础，成功开发出全球最高性能的扩展版 HBM3E。并凭借业界最大规模的 HBM 供应经验和量产成熟度，将从明年上半年开始投入 HBM3E 量产，以此夯实在面向 AI 的存储器市场中独一无二的地位。”

据介绍，此次产品在速度方面，最高每秒可以处理 1.15TB(太字节)的数据。其相当于在 1 秒内可处理 230 部全高清(Full-HD，FHD)级电影(5 千兆字节，5GB)。

与此同时，SK 海力士技术团队在该产品上采用了 Advanced MR-MUF 最新技术，其散热性能与上一代相比提高 10%。HBM3E 还具备了向后兼容性(Backward compatibility)，因此客户在基于 HBM3 组成的系统中，无需修改其设计或结构也可以直接采用新产品。

英伟达 Hyperscale 和 HPC 部门副总裁伊恩・巴克(Ian Buck)表示：“英伟达为了最先进加速计算解决方案(Accelerated Computing Solutions)所应用的 HBM，与 SK 海力士进行了长期的合作。为展示新一代 AI 计算，期待两家公司在 HBM3E 领域的持续合作。”