台积电2nm进展神速 或采用环绕栅极晶体管技术
近日,在苹果发布搭载了台积电5nm工艺A14处理器的新款iPad Air后,台积电再次成为了业界的焦点。根据外媒报道,在5nm工艺秀肌肉后,台积电下一步将重点研发更先进的3nm和2nm工艺。
在上个月举行的台积电技术论坛上,台积电公布了5nm、4nm、3nm工艺的进展,他们表示3nm工艺的研发正在按计划推进,仍将采用成熟的鳍式场效应晶体管技术(FinFET)。不过近日,比3nm更为先进的2nm工艺也逐渐浮出水面。
根据产业链消息人士透露,台积电目前2nm工艺进展神速,甚至超过了预期,并且2nm不会继续采用成熟的鳍式场效应晶体管技术(FinFET),而会采用环绕栅极晶体管技术(GAA)。
同样在上个月的技术论坛上,台积电高级副总裁Kevin Zhang在预先录制的一段视频中表示,新的台湾研发中心将运营一条先进生产线,将投入8000名工程师,攻克2nm工艺的技术难关。